【摘 要】
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根据先进半导体制造有限公司的生产实际,该文主要研究了热载流子注入栅氧中对器件性能的影响以及用热脱附谱研究掺磷氧化硅吸收水分这两个问题.1）在热载流子分析与模拟中,通过
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根据先进半导体制造有限公司的生产实际,该文主要研究了热载流子注入栅氧中对器件性能的影响以及用热脱附谱研究掺磷氧化硅吸收水分这两个问题.1）在热载流子分析与模拟中,通过建立一个热载流子注入栅氧中的模型来深入研究热载流子对栅氧影响的主要机理,并且用这个模型来模拟在热载流子注入情况下器件的内部电场、衬度电流、阈值电压的跨导随时间的变化,并对实际MOSFET作了I-V特性曲线的跨导变化量随偏压时间的实验测试.2）热脱附谱（TDS）研究H<,2>O在掺磷氧化硅（PSG）中的吸附问题是通过理论模型与实验相结合来实现的.PSG是在400℃左右用化学气相淀积（CVD）方法生长的,在生长过程以及以后的工序中容易吸收H<,2>O.TDS是由25℃开始以20℃/min均匀升温到800℃获得的.由TDS的残余气体分析（RGA）模式可以推出H<,2>O在PSG中的可能结合形式.
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