论文部分内容阅读
传统的无机硅半导体材料一般是通过电路充电和放电过程实现信息存储。由于受到摩尔定律的限制,通过微尺寸化提高材料的存储容量面临愈发巨大的挑战[1-2]。根据近期《nature》杂志中的报道,由于同样小的空间里集成越来越多的硅电路,产生的热量也越来越大,原本两年处理能力加倍的速度已经慢慢下滑。此外,还有更多更大的问题也慢慢显现,如今顶级的芯片制造商的电路精度已经达到14纳米,比大多数病毒还要小。到了这样的级别,电子的行为将受限于量子的不确定性,晶体管将变得不可靠。在这样的背景下,跟着摩尔定律按部就班发展的