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本文利用FJL560CI2型高真空射频磁控溅射系统在K9双面抛光玻璃基底上镀制了两个系列的氧化物薄膜—TiO2和Al2O3薄膜。TiO2薄膜是在氩气氛围下通过直接溅射高纯度的TiO2靶而得到,Al2O3,薄膜则是在氧氩混合气体氛围中溅射高纯度的铝靶,通过反应溅射沉积而得。通过改变工艺参数,制备出不同的薄膜样品。系统研究和分析了沉积参数对薄膜的结构和光学性能的影响。对两种薄膜的研究结果分别阐述如下：1TiO2本实验所得TiO2薄膜在退火前均呈非晶态,经过450℃有氧退火热处理后都晶化。不同溅射功率下制备的样品晶化后均具有锐钛矿晶体结构但是结晶取向有差异。负偏压、工作气压、氩流量对TiO2薄膜的晶体结构均有影响,表现为不同参数下获得的薄膜的XRD图谱中出现不同的衍射峰。工艺参数对TiO2薄膜表面形貌均有影响。溅射功率在40W—100W范围内,80W时薄膜的表面粗糙度最低,薄膜比较平整；薄膜表面粗糙度随负偏压的增大呈现出先增大后减小的变化；工作气压在0.8—1.6Pa范围内,1.2Pa时薄膜表面均方根粗糙度是1.16nm较小；Ar流量在20—50sccm时,Ar流量为40sccm时薄膜粗糙度最大。溅射功率、负偏压、氩流量影响TiO2薄膜的沉积速率。沉积速率随着溅射功率、负偏压和氩流量的增大而增大；工作气压在0.8—1.2Pa范围内,随工作气压的增大,薄膜沉积速率减小。总体来说,薄膜沉积速率比较低,一般在0.3～5nm/min之间。溅射功率、负偏压、工作气压和Ar流量对TiO2薄膜的折射率有一定影响,但是对薄膜的消光系数影响不明显。2Al2O3本实验所得Al2O3薄膜均是非晶态的,与TiO2薄膜不同的是经过450℃有氧退火热处理后仍然为非晶态。溅射功率、负偏压、氧氩流量比对沉积速率有一定的影响,薄膜沉积速率比较低,一般在0.5～3nm/min之间,相对于其他工艺参数,溅射功率对沉积速率的影响比其它因素要大,沉积速率随溅射功率的增大而增大；负偏压在0V—120V范围内,负偏压为100V时沉积速率最大；工作气压在0.2—1.6Pa范围内,总的趋势是薄膜沉积速率随工作气压的增大而减小,工作气压为0.2Pa时,沉积速率最大,为2.16nm/min；当氧氩流量比增大时,沉积速率先增大后减小。溅射功率、负偏压、工作气压和氧氩比对Al2O3薄膜的折射率有一定影响。折射率随着溅射功率的增大而先增大后减小。所有薄膜的折射率在可见光波段都是随波长的增大而减小的；折射率随负偏压的增大先增大,当负偏压增大到100V时再增大时折射率又稍微减小；工作气压为0.2Pa时,折射率随波长变化比较明显,在工作气压为0.5—1.6Pa范围内时,不同工作气压下制备的薄膜折射率随波长变化趋势类似,都是随波长的增大而减小,但是折射率随工作气压的增大而有减小的趋势；不同氧氩比下薄膜的折射率有差别；不同条件下得到的薄膜的折射率随波长的变化趋势相同,都是随波长的增大而减小,最后近似不变。各工艺参数对Al2O3薄膜消光系数有一定影响,但差别很小。