通过A₂+B₄的合成路线制备了系列含联苯结构单元的部分共轭型超支化聚合物，其中的刚性荧光共轭链段和柔性非共轭链段通过醚键连接，交替排列于聚合物的骨架中。通过红外光谱、核磁共振谱和元素分析的方法对单体和聚合物的结构进行了表征；借助于热失重分析、示差扫描量热分析等手段对聚合物的热性能进行了表征。采用原子力显微镜（AFM）对聚合物所成膜的表面形貌进行了表征。对一代聚合物的空间构型计算结果表明，该类聚合物呈三维的空间结构，不同于全共轭型超支化聚合物的二维平面构型。文中采用红外光谱方法，定性表征了不同反应条件下，如不同A／B比例、不同反应温度、不同共轭单体类型，合成的超支化聚合物的端基组成，并详细研究了反应条件对聚合物端基组成的影响规律。研究发现，聚合物的端基构成对聚合物的分子量、玻璃化转变温度、热稳定性和溶解性都有很大影响。具有高的极性端基比例的聚合物具有较高的分子量，较高的玻璃化转变温度和较好的热稳定性，但同时其溶解性和成膜性将会有所下降。通过荧光光谱仪对聚合物的荧光性能进行了表征，研究了不同单体配比、不同浓度、不同温度、不同激发波长下聚合物的荧光性能；测定了聚合物的荧光量子效率。通过循环伏安法对聚合物的电化学性能进行了表征；制备了双层结构的LED器件，其结构为：ITO／PEDOT（30nm）／HP1D（80nm）／Ca（15nm）／Al（150nm），并对其性能进行了测试。