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本论文主要采用磁控溅射(Magnetron Sputtering)法制备了PZT铁电薄膜,包括制备Pb(Zr0.80,Ti0.20)O3和Pb(Zr0.20,Ti0.80)O3单层膜以及Pb(Zr0.80,Ti0.20)O3/Pb(Zr0.20,Ti0.80)O3多层膜;利用改进Sol-Gel技术研究制备了PZT铁电厚膜。研究了不同衬底、不同Ar:O2气氛以及不同衬底温度对制备PZT薄膜的结构和性能的影响;研究了PZT多层铁电薄膜的制备工艺;利用XRD、SEM、AFM、XPS、EDAX等现代分析技术对PZT单层膜、PZT多层膜以及厚膜的结构、成分、形貌、进行了深入的分析研究;利用TH-2816型数字电桥和压电工作站测试了PZT铁电薄膜、厚膜的电学性能。本论文获得的主要结论如下:1、PZT晶体在Pt上的晶格失配率为4.78%在Si上的晶格失配率为31.7%,PZT在晶格失配率较小的Pt上形核生长远比在晶格失配率大的Si和SiO2/Si上容易。利用SEM对不同衬底上沉积的PZT薄膜表面进行了分析,发现在Si和SiO2/Si表面上沉积的PZT薄膜都有裂纹出现,在Pt上沉积的PZT薄膜经退火处理后,薄膜表面平整,无裂纹、孔洞,微观结构致密,颗粒大小均匀一致。2、在维持较低的衬底温度Ts=300℃的条件下,在纯Ar中原位沉积的PZT薄膜经后期退火处理后可以得到较高纯度的钙钛矿结构。而当溅射气体中含有O2时,溅射制备的PZT薄膜很难经退火处理转变为钙钛矿结构。溅射气体中含氧气比例越多,溅射制备的PZT薄膜的钙钛矿相含量越低。3、在550℃、600℃、650℃的衬底温度下,在位沉积了PZT薄膜。实验发现在600℃时沉积的PZT薄膜可以得到完全的钙钛矿结构。利用AFM对550℃、600℃、650℃下三种温度下沉积的PZT铁电薄膜进行了表面形貌分析,其扫描范围为500nm时,PZT薄膜的表面均方根粗糙度(RMS)分别为2.6nm、5.2nm和9.0nm,平均粒径分别为22.8nm、24.6nm和49.3nm,