基于PDPP3T聚合物光电特性以及纳米ZnO薄膜表征技术的研究

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备受科研人员关注研究提高光电转换效率的方式有聚合物材料、电池的层次结构以及体异质结相分离特点,这其中就包括聚合物的结晶态、相分离区域大小、材料本身的迁移率、分子取向以及电池的层次结构。本文就提升聚合物电池的光电转换效率从电池的层次结构作为出发点,通过研究表征窄带隙聚合物器件性能以及研究叠层聚合物器件的中间连接层(ZnO/PEDOT)为制备聚合物太阳能电池器件打下基础。PDPP3T是具有带隙窄(1.3eV),迁移率高的新型聚合物材料,具有对太阳光谱红外波(600nm~1000nm),与P3HT∶PCBM体系(300nm~650nm)形成光谱互补,是制备叠层聚合物太阳能电池的优异可选体系。本文以PDPP3T∶PCBM体系研究以及中间连接层的研究具体展开以下两方面:  一.研究窄带隙体系PDPP3T∶ PCBM光电特性以及掺杂浓度的变化,研究发现PDPP3T∶ PCBM体系器件厚度表征在85nm左右时,器件外量子转换效率以及光电流达到最大值,表明在85nm厚度左右时,载流子电荷在有限长度的空间电荷区得到传输和收集。通过退火、不同溶剂处理、慢速旋涂等方式促进了PDPP3T∶ PCBM的相分离以及PCBM的结晶从而降低器件的掺杂浓度和缺陷态密度,研究发现降低器件的掺杂浓度会导致增加器件的光电流和降低器件的开路电压,表明了掺杂浓度作为表征聚合物电池器件性能的重要参数,这也为研究叠层电池器件迈出重要一步。  二.ZnO薄膜表征技术的研究:叠层聚合物器件中间连接层(ZnO/PEDOT)是制备叠层器件中重要的电子空穴传输层,本章选用ITO/PEDOT/P3HT∶PCBM/ZnO/A1作为器件结构,合成制备纳米ZnO薄膜并表征到器件中。研究分析表明配置15mg/ml纳米ZnO溶液经器件Ⅳ表征性能最佳,通过120°/1h退火表征的纳米ZnO薄膜,器件的光电流密度提升到4.139mA/cm^2,ZnO薄膜与活性层界面有较好的欧姆接触,这为实施制备叠层聚合物电池器件打下了基础。
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