光电导开关作为一种新型的开关器件，具有许多独特的优点。使之在超高速电子学、大功率脉冲产生与整形技术领域成为传统开关最有希望的换代器件。但在理论上的论证与推导目前还不很完善，因此对它的理论分析是有实际意义的。 本论文的目的是利用半导体的计算机模拟方法模拟高倍增GaAs光电导开关。一方面对在物理实验中得到的各种现象从理论上加以论证与进一步的推导，另一方面根据模拟结果可指导器件的设计使之更加实用化。 对此，本文研究了两种半导体器件的计算机模拟方法——有限差分模拟法和Monte Carlo模拟法。并利用这两种方法对高倍增高压超快GaAs光电导开关中的线性工作模式和非线性工作模式中的一些特性分别进行了模 西安理工大学硕士学位论文拟，得出了一系列数据与曲线，并与物理实验中所得数据进行了比较，所得模拟结论与实验结果基本一致。