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能源短缺和环境污染是当前人类面对的两大问题。为维持社会和经济的发展，人类必须开发清洁的可再生能源。光伏发电是一种非常有前景的可再生能源技术，有望解决能源和环境这两大问题。但目前光伏发电的成本过高，极大地限制了其大规模应用。解决这一问题的可能途径是开发低成本的太阳电池材料及低成本的制备工艺以降低太阳电池的制造成本，从而降低光伏发电的成本。本论文使用低成本的溶液方法（连续离子层吸附沉积和化学浴沉积）制备出几种可应用于太阳电池的薄膜材料（SnS、Bi2S3、CdS、CuxS、ZnS和Cu2ZnSnS4），详细研究了制备工艺参数对薄膜材料结构、形貌及性能的影响并对薄膜的制备机理进行了探讨。在此基础之上制备了几种结构的异质结薄膜电池原型器件，为利用溶液方法制备低成本的太阳电池打下基础。以连续离子层吸附沉积工艺制备了新颖的闪锌矿结构SnS薄膜。发现当在阳离子前驱溶液中加入氯离子时，薄膜的生长速率提高、结晶性变好、表面形貌变粗糙。对以上结果进行了分析：认为在阳离子溶液中可能会存在金属配合离子聚合形成的多聚体，在这种多聚体中锡的配位结构与闪锌矿SnS中锡的配位结构类似。这些前驱物质吸附在衬底表面并随后与硫离子发生反应，在反应过程中锡离子的配位结构保持不变从而得到了闪锌矿结构SnS。当氯离子添加到阳离子溶液中时，氯离子促进了金属配合离子的聚合过程使得更大结构的聚合体的形成成为可能，因此加入氯离子会提高薄膜的生长速率和结晶性。使用一种新的化学浴制备体系制备了闪锌矿结构及正交结构两种结构的SnS薄膜。发现沉积温度和pH值是决定最终制备的SnS薄膜晶体结构的主要因素。对由同一制备体系可制备不同结构SnS薄膜的机理进行了探讨：认为最终得到的SnS薄膜的晶体结构由在化学浴过程中出现的中间产物中锡离子的配位结构决定，即薄膜晶体结构的不同来源于沉积过程中锡源和硫源之间不同的反应路径。所制备的闪锌矿及正交结构SnS薄膜的电阻率最低分别为3300·cm及140·cm，均低于之前文献中报道的相应结构SnS薄膜的电阻率。研究了制备参数对正交结构SnS薄膜结构、形貌、电学及光学性能的影响，根据正交结构SnS薄膜的形成机理讨论了制备参数影响薄膜结构及性能的具体途径。以正交结构SnS为吸收层，制备了FTO/SnS/Bi2S3/Ag、FTO/CdS/SnS/Ag两种结构的异质结电池。所制备的异质结电池有明显的二极管特性，但光电转换效率较低，尚需进一步优化。对Bi2S3薄膜的化学浴制备工艺进行了系统研究，研究了制备体系、制备参数、缓冲层、添加剂等对Bi2S3薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。发现当在衬底表面先沉积一层SnS缓冲层再用化学浴沉积Bi2S3薄膜时，所制备薄膜的均匀性及粘附性有明显提高。使用由Bi（NO3）3、乙二胺四乙酸（EDTA）和硫代乙酰胺（TA）组成的化学浴制备体系沉积Bi2S3薄膜时，可得到由纳米棒状颗粒组成的薄膜，薄膜的表面较为疏松且与衬底的粘附性不好。当在化学浴制备体系中使用Bi（NO3）3及Na2S2O3分别作为铋源及硫源时（配位剂使用柠檬酸铵或乙二胺四乙酸），容易得到表面呈树枝状的Bi2S3薄膜，薄膜的表面较为疏松且与衬底粘附不好。使用由Bi（NO3）3、柠檬酸铵（AC）和硫代乙酰胺（TA）组成的化学浴制备体系可沉积得到结构致密的Bi2S3薄膜。在此体系下通过提高硫代乙酰胺浓度、降低Bi（NO3）3浓度及在反应溶液中添加NH4Cl等可提高薄膜表面的平整度。通过优化制备条件最终得到了致密、平整且与衬底粘附良好的Bi2S3薄膜。另外使用由Bi（NO3）3、柠檬酸铵（AC）和硫代乙酰胺（TA）组成的化学浴制备体系制备得到了二维纳米片状结构的Bi2S3薄膜。发现pH值及沉积温度是制备二维纳米片状结构Bi2S3薄膜的决定因素。以化学浴制备的Bi2S3薄膜为吸收层制备了FTO/SnS/Bi2S3/Ag结构的异质结电池。使用氯化镉体系及乙酸镉体系制备了六方结构且有明显的（002）择优取向的CdS薄膜，对其形貌及性能进行了对比。发现使用乙酸镉体系制备的CdS薄膜组成颗粒较小，表面更为平滑。由乙酸镉体系制备的CdS薄膜的电阻率小于由氯化镉体系制备的CdS薄膜的电阻率。乙酸镉体系制备的CdS薄膜的光学带隙略大于氯化镉体系制备的CdS薄膜的光学带隙。以CuCl2为铜源、硫脲为硫源，三乙醇胺或柠檬酸铵为配位剂制备了CuxS薄膜，薄膜经200℃退火后结构均为辉铜矿结构。当使用不同配位剂（三乙醇胺及柠檬酸铵）制备CuxS薄膜时，所制备的CuxS薄膜在结构、形貌及性能上的差异较小。CuxS薄膜退火后电阻率约在10-3·cm数量级，薄膜可见光波段透过率约50%。由化学浴工艺制备了均匀、致密且粘附良好的ZnS薄膜。所制备的ZnS薄膜光学带隙约3.9eV，其在350-1950nm波段的平均透过率约为85.6%。化学浴制备的ZnS薄膜可作为一种价格低廉的减反射膜，将ZnS薄膜沉积在制绒的硅片表面可使硅片表面反射率从14%降至7%。由溶液法制备硫化物前驱薄膜后退火的方法制备了Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜，研究了前驱薄膜结构对CZTS薄膜制备的影响。发现先使用连续离子层吸附沉积制备CuxS与SnS的混合层后化学浴沉积ZnS层制备前驱薄膜的工艺较有利于CZTS的形成。利用该工艺制备了均匀致密的CZTS薄膜，薄膜光学带隙为1.53eV。