为了保证应用于航天器激光雷达的可靠性，必须对其进行辐射加固，电子元器件抗辐射筛选是其中的关键步骤。为了改进传统电参量检测分析为基础的元器件筛选方法灵敏度差、效率低的问题，本文在分析了航天器激光雷达工作环境的基础上，针对加固要求选择3DG101型号的功率三极管、FR205型号的发光二极管、2CK75C型号的功率二级管等三种半导体器件作为筛选研究对象，研究噪声检测用于筛选的可行性。对3DG101型号的功率三极管共10只样品作了60Co-γ辐照实验，辐照剂量为0、30、90、210、450krad，对FR205型号的发光二级管和2CK75C功率二级管各15只样品作了60Co-γ辐照实验，辐照剂量为0、200、300、1200、2000krad，测量辐照前和每一次辐照后器件的电学参量和噪声参量，对比分析其量值及变化规律，得到以下结论： 1．随着辐照量的增加，FR205型号的发光二极管和2CK75C型号的功率二极管正向伏安特性基本不变，反向伏安特性变化无规律；3DG101型号的功率三极管的增益随辐照量的增加呈微弱变化； 2．对上述三种半导体器件在辐照前后电参数和噪声参数的比较，当电参数无变化时或变化没有规律，甚至是没有实际可观测意义以至于变化很微弱时，噪声参数有变化可测变化量并且具有噪声参数随着辐照剂量的增大而增大的规律。 3．本文研究结果表明，通过对1/f噪声检测和分析可望对3DG101型号的功率三极管、FR205型号的发光二极管、2CK75C型号的功率二级管等三种半导体器件进行抗辐射筛选，并提出初步的筛选方案。