【摘 要】
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本文对相变存储器小尺寸下高密度的多态存储方案与高可靠性设计进行了研究。文章提出了一种全新的状态定义,并基于此定义和相变材料本身已有的特性,提出一种兼顾存储密度和可靠
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本文对相变存储器小尺寸下高密度的多态存储方案与高可靠性设计进行了研究。文章提出了一种全新的状态定义,并基于此定义和相变材料本身已有的特性,提出一种兼顾存储密度和可靠性的解决方案。此处的状态定义仅取决于存储单元中2个(邻近)相变电阻的阻值比值。同时,由于材料的多值特性和比值的多样性使得多值存储成为可能,进而变相的提高了存储密度。同样基于这种独特的状态定义,在本文所提的解决方案中,软硬结合的检错纠错方法在充分利用材料所赋予的“比值空间”的条件下应运而生,从而更加增强了存储的可靠性。
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