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目前,制备非挥发性铁电存储器所用的铁电薄膜材料体系主要还是锆钛酸铅(PZT)系列,这是因为PZT铁电薄膜具有良好的铁电性能,如较大的剩余极化(2Pr)值以及具有较低的热处理温度等。可是PZT铁电薄膜由于含铅,有较大的毒性是它的一个致命的弱点。因此开发一类新的无铅铁电材料来取代PZT铁电薄膜是非常有必要。稀有金属离子掺杂钛酸铋(Bi_4Ti_3O_(12), BIT)铁电薄膜,具有结晶温度较低、抗疲劳特性较好、自发极化较大的特点;钛酸铋钠(Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3, NBT)具有强铁