铝合金微弧氧化陶瓷层生长过程及绝缘性能的研究

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通过对铝合金微弧氧化陶瓷层表面及截面形貌的分析,研究了陶瓷层的生长过程,探讨了微弧氧化的生长机理,从而分析了影响铝合金微弧氧化陶瓷层绝缘性能的因素。同时通过X射线衍射测定了陶瓷层中的相分布及其组成。 研究表明,影响铝合金微弧氧化陶瓷层绝缘性能的主要因素是溶液的电导率和pH值及电源输出能量的高低。随着溶液电导率的升高,微弧氧化陶瓷层的生长速度加快,消耗在溶液中的能量降低,提高了微弧氧化过程中能量的利用率;而溶液的pH值可以决定铝合金能否成膜并影响陶瓷层的成膜速度。对于LY12铝合金来说,在溶液中能够成膜的pH值范围为7.5~13,实验还表明,当铝合金在溶液中形成一层绝缘性氧化膜后,当置于pH值较高的碱性溶液后,微弧氧化仍然能够进行。 电参数的控制和选择对陶瓷层生长速度和绝缘性能的影响起到关键性的作用,作用在陶瓷层上的能量密度越大,陶瓷层的生长速度越快,但是能量过大,其绝缘性能反而会降低。因此,控制不同生长阶段的电参数是得到致密性高、绝缘性能强的微弧氧化陶瓷层的关键。
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