半导体激光器作为光电子系统的核心器件,在民用及国防上的重要作用已得到普遍认可。它是应用最广泛的一类激光器,具有许多其它激光器无法比拟的优点,广泛应用在光纤通信、制导、测量、医疗及信息存取等领域。半导体激光器的应用如此广泛,其相应的驱动技术也显得越来越重要。本文主要介绍了半导体激光器脉冲驱动方式的研究。论文简述激光器的发展过程和其应用,并针对其特点分析了对激光器驱动器的要求。针对本课题的特殊要求,详细分析了各组成模块及实验结果。目前,提高激光器性能的途径主要有两个:一是应用新的半导体技术来提高激光器器件本身的性能指标;二是提高激光器驱动电源的特性。目前,国内外在激光器及其驱动的研究方面都投入了大量的人力物力,但国内水平远不及世界先进科技水平。在激光器驱动电路中,对于窄脉冲的驱动方式,一般的输出脉宽在50ns以上,并且其驱动电流一般都很小,在1安培以下。笔者在经过大量的资料收集和论理分析后,决定采用VMOS场效应管作为开关器件来组成激光器驱动器,设计了频率、带宽均可调的脉冲驱动电路。该电路具有脉宽窄,上升时间、下降时间短,器件简单等特点。经过Multisim 8的模拟,本设计所能达到的技术指标是工作频率:500~50kHz可调;脉冲宽度:30ns以上可调;输出电流最大达到5安培。