【摘 要】
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本文采用金属有机化合物气相沉积技术(MOCVD)生长InAs/GaSbⅡ型半导体超晶格材料。研究表明,反应室压力、外延层生长的温度和Ⅲ、Ⅴ族源流量是影响材料生长的重要因素。其中,
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本文采用金属有机化合物气相沉积技术(MOCVD)生长InAs/GaSbⅡ型半导体超晶格材料。研究表明,反应室压力、外延层生长的温度和Ⅲ、Ⅴ族源流量是影响材料生长的重要因素。其中,温度是影响样品表面形貌特征的主要因素。本文在不同温度下生长791#-798#和812#超晶格外延层,研究了材料生长条件,并且802#、812#和656#样品用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌分析,采用X射线衍射得到793#、796#-798#样品的衍射曲线。结果表明,反应室的温度在520℃,并且在生长薄层InAs时,Ⅲ/Ⅴ元素的源流量比大于1,其值范围10:5~20:4;薄层GaSb的Ⅲ/Ⅴ元素的源流量比小于1,其值范围5:12~5:15,得到表面形貌较好、质量较好的超晶格外延层。
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