金属有机化合物气相沉积相关论文
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒......
随着科学的不断推进，人类生活水平的不断提高，通讯设备以及其他电子器件都必须向着高频，快速的方向发展，而这一切都依赖半导体材料研究......
自LED面世半个世纪以来，技术日新月异。红光LED已经得到了长足的发展，内量子效率已经接近100％，而人们对还在孜孜追求着更高效率的红光L......
Ⅲ簇氮化物(GaN、InN及AlN)以及由它们组成的三元、四元合金固熔体,都是直接带隙材料,它们覆盖了从红光波长到紫外波长的范围,是制......
GaN基LED具有高亮度、低能耗、寿命长、响应速度快等优良特性，在固态照明、液晶背光源、全色显示等领域有着广泛的应用。大功率LED......
本论文主要研究了紫光LED中量子垒和电子阻挡层的设计，主要结论如下: 1.首先利用SiLENSe软件模拟分析了AlGaN量子垒在紫光LED结......
用密度泛函理论方法对Me_3M/PH_3(Me=CH_3,M=Ga,In)体系及相关的一些分子进行了计算,得到优化几何构型、振动基频、电荷分布等参数......
期刊
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结......
利用金属有机化舍物气相沉积（M0cvD）方法在A12O3（11^2 0）衬底上生长高质量的ZnO薄膜,在衬底温度450℃及生长舱压力加Pa的条件下。我们......
采用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）两步生长法在自持化学气相沉积（CVD）金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜，并研究了薄膜的生长特性和电......
本文较详细地介绍了纳米级半导体材料的制备及其表征。同时讨论了目前纳米级半导体材料制备中所存在的问题及将来可能的研究方向。......
文章阐述了一些制备ZnO纳米半导体材料的常用技术，如模板制备法、物理气相沉积、脉冲激光沉积、分子柬外延、金属有机化合物气相沉......
期刊
采用CCl4作为碳掺杂源,进行了重掺碳GaAs层的LP-MOCVD生长,并且对掺杂特性进行了研究,研究了各生长参数对掺杂的影响.CCl4流量是决......
利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿......
采用MOCVD法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的MgxZn1-xO薄膜.研究了退火对MgxZn1-xO薄膜各种特性的影响.将样品分别在真空和氧气......
利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿......
ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉......
<正> 高纯三甲基镓、三甲基铝、三乙基铝是实现MOCVD(金属有机化合物气相沉积)工艺,制备化合物半导体材料的重要金属源,长期以来依......
经过近半个世纪的发展,半导体光放大器(SOA)在光电子器件和光通信领域内已经得到了广泛的研究和应用,体材料SOA和量子阱SOA都已经......
锑化物超晶格材料与传统的红外材料HgCdTe相比,具有结构稳定性好、带隙调节简单、隧穿电流小、应变使轻重空穴带能级分裂抑制俄歇......
在双异质结发光二极管(DH—LED)实际材料生长过程中，它的限制层的AI组分的确定有较大的随意性．在不同的P型掺杂程度下，通过分析载流子......
讨论金属有机化合物气相沉积(MOCVD)方式生长晶体的一种动力学解释.应用分子动力学、化学反应动力学等推导出MOCVD反应过程中晶体......
针对大功率半导体激光器面临的主要困难 ,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔高效大功率半导体激光器机理 .该机理能有效......
期刊
现如今大功率半导体激光器的应用涵盖了包括军事航天、工业生产、医疗卫生在内的几乎所有高新技术领域,其中包括数据存储、光纤通......
近年来,随着现代超薄层材料生长技术(以分子束外延MBE和金属有机化合物气相沉积MOCVD等技术为典型代表)和各种超精细加工技术的发......
本文采用金属有机化合物气相沉积技术(MOCVD)生长InAs/GaSbⅡ型半导体超晶格材料。研究表明,反应室压力、外延层生长的温度和Ⅲ、......
ZnO 材料是一种宽禁带的多功能半导体光电材料，在许多领域都具有广泛的用途。例如，可用于制作紫外发光管和激光器、紫外探测器、高频......
利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲......
