【摘 要】
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<正>一、引言 在半导体器件工艺中,普遍采用CVD（化学汽相淀积）方法生长掺杂或不掺杂的SiO2薄膜,作为器件表面的钝化层、掺杂的SiO2固态扩散源和多层布线中的绝缘介质层等。与
【机 构】
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北京市半导体器件三厂;北京市半导体器件三厂;
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<正>一、引言 在半导体器件工艺中,普遍采用CVD（化学汽相淀积）方法生长掺杂或不掺杂的SiO2薄膜,作为器件表面的钝化层、掺杂的SiO2固态扩散源和多层布线中的绝缘介质层等。与此相应的各种淀积SiO2薄膜的CVD反应炉也相继出现。由于结构简单,钟罩式旋转反应炉首先广泛应用于实际生产工艺中。图1（α）是一种典型的钟罩式旋转反应炉的示意图,钟罩高度约25cm到40cm间,钟罩内加热的合金铝盘上方形成一个反应空间,被淀积的硅片置于加热的合金铝盘上,铝盘可绕轴旋转。当SiH4和O2由钟罩顶部进入反应区时产生大致如下的化学反应:
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