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碘化亚铜（CuI）是一种p型直接宽带隙无机半导体材料,禁带宽度～3.1eV,具有很大的激子束缚能（62meV）,较高的载流子浓度和空穴迁移率,而且CuI储量丰富、价格便宜、无毒无污染,在可见光波段具有很高的透过率,成为短波长光电器件领域的研究热点。而要利用其制备高性能光电子器件,则需要高质量的CuI薄膜。虽然制备CuI薄膜的方法众多,但薄膜质量普遍较低。本文利用真空热蒸发镀膜技术,经过优化生长工艺,制备出结晶质量较高的CuI薄膜,研究了其光电特性研究,并与超高真空脉冲激光沉积技术（PLD）制备的ZnO薄膜和高压PLD技术制备的ZnO纳米线阵列以及水热合成法制备的高质量TiO2纳米棒分别构造了p-CuI/n-ZnO薄膜异质结、p-CuI/n-Zn O纳米线异质结以及p-CuI/n-TiO2纳米棒异质紫外探测器件,并分别研究了三种探测器的光电特性。本文主要进行了如下研究:1.利用高真空热蒸发技术制备CuI薄膜并优化制备工艺。研究了CuI薄膜的形貌、结构和发光特性。XRD测试结果显示,CuI薄膜为具有高度（111）晶相择优生长的多晶γ-CuI,并且在室温至100℃的衬底温度下,薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提升,并且在Si片上制备的CuI薄膜结晶质量高于石英片衬底上的薄膜。在衬底加热温度为100℃时,结晶质量最好,此外厚度～250nm薄膜在可见光波段的平均透过率～79.15%,最大透过率～91.9%。2.利用超高真空PLD技术和无金属催化的高压PLD技术,在Si衬底上分别制备了ZnO薄膜和纳米线阵列,并研究了ZnO薄膜与纳米线阵列的形貌结构和发光特性。扫描电子显微镜和X射线衍射谱结果显示,温度为650℃,压强为4.0×104 Pa时,制备的ZnO纳米线结晶质量最好,沿（001）晶向择优生长,ZnO纳米线的平均直径约为80nm,长度大约2μm～5μm。3.构建p-CuI/n-ZnO薄膜异质结紫外探测器。在PLD制备的ZnO薄膜上沉积CuI薄膜构建了异质结紫外探测器,具有良好的二极管整流特性,开关比约为45.1倍,在400nm的光照、-5V偏压下,峰值响应约为0.02A/W,最大探测率为1.54×1011 cm Hz1/2/W,响应时间～81.6ms,恢复时间～92.9ms。4.构建p-CuI/n-ZnO纳米线异质结紫外探测器。在ZnO纳米线阵列上沉积CuI构建了纳米结构异质结紫外探测器,该异质结器件具有更出色的二极管整流特性,开关比高达5500倍,比ZnO薄膜异质结的开关比提高了～122倍。在385nm的光照、-5V偏压下,峰值响应约为0.235A/W,最大探测率为1.23×1012cmHz1/2/W,分别比CuI/ZnO薄膜异质结器件分别增强了～12和～8倍。此外,探测器的峰值响应波长发生了蓝移（370nm—400nm）,并使异质结探测器具有更好的重复性和稳定性。5.构建p-CuI/n-TiO2纳米棒异质结紫外探测器。利用水热合成法生长了TiO2纳米棒,并与CuI构建了纳米结构异质结紫外探测器,最大开关比～31.1倍。在410nm的光照、-5V偏压下,峰值响应约为0.232A/W,最大探测率为5.515×1011cmHz1/2/W,同时具有较快的响应速度。一维TiO2纳米结构具非常大的比表面积,能够增大与CuI的接触面积、提高光的利用率以及为光生载流子的输运提供更多的途径,致使异质结探测器的光电性能提高。