【摘 要】
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该文主要研究了碳化硅场效应器件的特性和器件制作的工艺技术.根据半导体器件物理理论,推导和编程计算了n沟6H-SiC MOSFET的阈值电压和非饱和区跨导的主要解析公式,并结合二
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该文主要研究了碳化硅场效应器件的特性和器件制作的工艺技术.根据半导体器件物理理论,推导和编程计算了n沟6H-SiC MOSFET的阈值电压和非饱和区跨导的主要解析公式,并结合二维器件仿真软件MEDICI模拟研究,对n沟6H-SiC MOSFET的阈值电压和跨导的温度特性进行了详细探讨.研究表明界面陷阱密度、体内杂质不完全离化以及表面空间电荷层杂质离化程度对器件阈值电压温度特性都有一定的影响;而器件的非饱和区跨导随着温度的上升都出现先上升后下降的趋势,而出现峰值跨导的温度点随界面陷阱密度的增加而上升.通过新的迁移率模型的推导和计算,进一步揭示了器件表面沟道中存在多种不同的散射机构是导致非饱和区跨导温度特性发生变化的深层次原因.该文研究总结了碳化硅器件的工艺技术,并在工艺实验中探索得到了一套碳化硅场效应晶体管的制作工艺,进行了6H-SiC MOSFET的研制.
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