石墨相氮化碳光催化材料的表面修饰及其性能增强研究

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与传统半导体光催化材料相比,新型无金属半导体材料g-C_3N_4引起了光催化研究者们极大的兴趣。理论上,半导体g-C_3N_4具有合适的能带位置、与石墨烯相似的二维平面结构、稳定的理化性质、储量充沛的材料来源都为g-C_3N_4半导体在光催化制氢领域的潜在应用提供了可能。但在实际研究中,研究者发现,g-C_3N_4光催化材料存在光生电子和空穴分离效率低的问题,这主要归根于g-C_3N_4表面的光催化反应活性位点较少,导致光生电子和空穴参与反应的诱导力较弱,从而使得g-C_3N_4材料的光催化制氢活性
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