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有机电致发光器件（organic light emitting diodes，OLEDs）作为新一代平板显示技术，具有超薄、超轻、视角广、主动发光、发光效率高、响应时间短、驱动电压低、色域广等一系列的优点，成为平板显示领域研究的热点。从2003年起，这种显示技术已经在MP3播放器等显示屏上得到应用。但是OLED器件在使用寿命和发光效率方面存在问题，因而限制了它的推广应用。目前，国内外有关OLED器件的研究大多是寻找更佳的器件结构和发明新的有机材料。在器件结构方面，为了能将OLED显示器和成熟的硅工艺结合起来，人们提出了硅基顶发射OLED器件（top-emitting organic light emitting diode,TOLED）。这种器件结构光出自透明顶电极，电路可以设计在硅基上，因而解决了发光面积和驱动电路相互竞争的问题，提高了器件的发光效率。但是TOLED器件在制备过程中，存在透明电极制备困难的问题。为解决这个问题，本论文主要做了以下三个方面的工作：（1）功能层厚度匹配的研究。在ITO玻璃衬底上制备了传统的底发射OLED器件，研究了电子传输层Alq3和空穴传输层NPB的厚度匹配对OLED器件的影响，并讨论了空穴缓冲层CuPc对器件的稳定性和寿命的影响。（2）能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜的工艺研究。采用能量过滤磁控溅射（energy filtering magnetron sputtering，EFDMS）技术制备ITO薄膜，讨论了过滤电极网栅目数、衬底温度对ITO薄膜光电性能的影响。实验发现：当网栅目数依次为60目、70目、80目、100目、110目、120目、130目、150目、170目、200目、220目和300目时，随着网栅目数的增加，ITO薄膜的电阻率先降低后增加，透光性先增加后降低。在网栅目数为200目时，薄膜的电阻率最低达4.7×10-4Ω.cm，透光率最高达到93%。在低温范围内，ITO薄膜的透光性没有太大的变化，随着温度的升高，ITO薄膜的透过率略增加，电阻率则不断降低，温度为90℃时，薄膜的电阻率最低，透光性最好。（3） TOLED器件的研究。在玻璃衬底上制备了结构为Al/Alq3/NPB/ITO的顶发射器件，比较EFDMS和DMS方法制备ITO阳极对TOLED器件的发光亮度和电流密度的影响。制备Si/C/Alq3/NPB/CuPc/ITO的器件：其中Si片分别用金刚石膏研磨、HF清洗和镀Ti的方法处理，然后在衬底上制备纳米非晶碳膜，比较不同处理方法对碳膜的表面形貌和结构性质的影响。并以不同的碳膜为阴极，金属Al膜为阳极制备TOLED器件。实验结果表明，硅片上镀Ti的TOLED器件性能最好，HF清洗硅片的器件性能次之，研磨硅片的器件性能最差。最后以镀Ti的非晶碳膜为阴极，以EFDMS技术制备的ITO为阳极，制备Si/C/Alq3/NPB/CuPc/ITO的器件，研究器件的电流密度和亮度特性。