FeS₂ 的组元元素储量丰富、无毒,而且具有合适的禁带宽度（大约为0.95eV）和很高的光吸收系数(α≥5×10⁵cm^-1,λ≤700nm),是一种很有研究价值的薄膜太阳能电池材料。本文采用两步法在不同的硫化温度和硫化时间条件下制备FeS₂ 薄膜。通过测试分析所制薄膜的晶体结构、化学成分及其光电性能等,研究了工艺参数对所制备FeS₂ 薄膜的影响规律,探索出制备FeS₂ 薄膜的最佳工艺条件:硫化温度为653K,硫化时间为6 小时。并制备出性能较好的FeS₂ 薄膜。当硫化温度在553K-653K 变化时,随硫化温度的升高,薄膜结晶度更好,薄膜的S/Fe 值和电阻率增大;当硫化温度高于653K 时,由于温度过高,薄膜表面出现微裂纹,导致薄膜的S/Fe 值和电阻率增大。随着硫化时间延长,薄膜结晶变好,薄膜特征衍射峰强度增强,电阻率增加,但是当硫化超过12 小时,薄膜的电阻率和禁带宽度稍微变小。本课题的研究提供了一种较好的制备FeS₂ 薄膜的方法,同时将为进一步制备FeS₂ 薄膜太阳能电池奠定良好的基础。