与大多数已知Yb离子激光晶体相比,单斜结构的Yb:KLu（WO₄）₂晶体具有大的受激发射截面和短的荧光寿命,特别适合于由被动调Q产生高重复率脉冲激光运转。本论文工作中,我们在光纤耦合输出的高亮度975-nm半导体激光器纵向泵浦条件下,对近微片谐振腔中Yb:KLu（WO₄）₂晶体的二维MoS₂、WS₂和MoTe₂被动调Q以及Cr⁴⁺（10）:YAG被动调Q做了较为全面和深入的实验研究,实现了高效率、高功率和高重复率的脉冲激光运转。在谐振腔输出耦合透过率T≧70%的条件下,获得了稳定的二维MoS₂、WS₂和MoTe₂被动调Q激光运转。根据二维可饱和吸收体不同,所产生的最大脉冲输出功率为1.87-2.45 W;斜率效率达56%-71%;最小脉冲宽度为36-43 ns;而最高脉冲重复率达到2.18-2.52 MHz。与已报道的Yb:KLu（WO₄）₂晶体激光器中二维MoS₂被动调Q相比,本工作中获得的脉冲输出功率提高了一个数量级;激光效率提高8-10倍;脉冲宽度缩短5-6倍;而所达到的脉冲重复率,则代表了目前固体激光器中二维可饱和吸收体被动调Q脉冲重复率的最高水平。利用相同谐振腔和泵浦条件,在T≧80%的输出透过率下,实现了由初始透过率T₀=99.3%的Cr⁴⁺:YAG薄片晶体所引起的稳定被动调Q。所产生的最大脉冲输出功率为1.83 W,斜率效率60%,脉冲宽度39 ns,而脉冲重复率则达到0.97 MHz。这里的被动调Q脉冲重复率远超由Cr⁴⁺:YAG恢复时间所决定的重复率上限,是一种很反常的被动调Q。