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非对称双跳混合RF/FSO中继系统模型构建与性能研究
【机 构】
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吉林大学
【出 处】
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吉林大学
【发表日期】
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2021年01期
【基金项目】
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其他文献
忆阻器是目前最具应用前景的下一代非易失性存储器之一，其在器件结构、擦写速度、可微缩性、三维高密度集成等方面都具有明显优势。但目前忆阻器距离产业化仍有很大距离，根本原因是还有很多关键问题亟需解决。本文将基于密度泛函理论的第一原理计算围绕忆阻器介质材料计算方法、常用忆阻材料以及忆阻器中阻变机理等三个方面进行了理论研究。主要的研究工作和创新成果如下： 首先，在对原始能带计算方法DFT-1/2(LDA/
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