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该文就研究人员对虹膜识别中几项关键技术开展的研究进行了阐述.
虹膜身份识别系统的研究
【摘 要】
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该文就研究人员对虹膜识别中几项关键技术开展的研究进行了阐述.
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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上海交通大学
【发表日期】
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2000年期
【基金项目】
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其他文献
大数据时代下，神经形态计算在克服冯·诺依曼瓶颈、高效处理数据密集型计算等问题上具有巨大优势。为了构建神经形态系统，技术成熟度高、工作机制稳定、突触功能丰富可调、权值更新线性对称的新型人工突触成为迫切需求。多端薄膜晶体管器件在作为人工突触器件时，具有工艺成熟、稳定性高、可靠性好、信号处理与传输并行、与CMOS技术兼容性高等优点，在探索人工神经网络、发展智能边缘计算等新型信息处理领域具有巨大潜力。
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光学超材料是一种由规律排列的电磁单元所构成的人工材料，能够对电磁波的振幅、相位和偏振等物理特性进行调控，产生许多常规材料中不存在的物理现象，场局域效应就是其中非常重要的一种。场局域效应能够限制电磁场的分布，提高区域内的电磁场强度，显著增强了光与物质的相互作用，是超材料对电磁波进行调控的关键基础。因此，场局域效应具有重要的研究意义，并且在能源、信息和健康等领域展现出巨大的应用价值。然而，受限于超材料
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基于局域共振效应的光学超表面是一种人工构造的且能对外界入射光作出响应的具有特殊功能的器件。局域共振效应是这种超表面的根本工作原理。在光与物质的强烈相互作用下，基于局域共振效应的光学超表面可以对入射光的相位、振幅等进行精确的调控，使其散射、反射、吸收谱等能够按照所需求的功能来设计，而且这个过程通常伴随着强烈的场增强效应，场增强效应在显示、能源以及生物等方面具有重要的应用。等离激元超表面和基于高折射率
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RRAM器件的性能与其阻变层材料有着紧密联系，现在已经在很多的材料中发现了非易失性的阻变特性，其中，钙钛矿(Perovskite)结构材料具有独特物理和化学性质，如铁磁性、铁电性等，在实现RRAM器件多功能化方面具有巨大的潜力，成为RRAM器件中被广泛研究的材料之一。BaTiO3(BTO)和BaxSr1-xTiO3(BST)是典型的钙钛矿结构半导体材料，目前基于这两种薄膜的RRAM器件已有报道，但
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随着现代信息技术在智能化领域的不断发展，人们对数据存储的深度与广度都提出了越来越高的要求，不仅希望存储介质能够用于制造各类成本低廉、容量巨大的存储器件，而且在新介质显示、类脑计算等领域表现出长远的发展潜力。而现有的存储器体系经过数十年的发展，在存储容量与价格上似乎已经走向尽头，更不要说新技术应用领域的发展潜力。因此，人们需要一种新的存储介质，同时具备低成本和高性能两种特点。相变存储器是最有潜力的下
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窄带光电探测器在检测光信号强度的同时可以实现光波长的鉴别，在机器视觉、图像识别、生物成像等领域都有着十分重要的意义。目前，窄带光电探测器的结构比较复杂、制作成本昂贵、探测效率低。窄带电荷收集效应是一种实现窄带光电探测的有效手段。但是为了限制表面载流子的收集，基于此效应制作的探测器需要较厚的吸光层或额外的电荷阻挡层，且维持窄带响应的工作电场不能偏大。此外，窄带探测器的响应峰对应于材料的吸收带尾波段，
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硫化铅(PbS)胶体量子点因具有低成本溶液工艺制备、高消光系数、良好的稳定性和多激子产生(MEG)效应等优点，被视为极具发展前景的光伏材料。基于此，小尺寸(带隙为1.3~1.4eV)PbS量子点太阳能电池经认证后的效率高达12.3%。此外，由于强烈的量子尺寸效应，PbS量子点带隙可以在0.5~1.9eV内大范围可调，既可以满足单结太阳能电池的需求，还可以制备量子点红外光伏器件，并与其他电池构成互补
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为了实现高性能低功耗的集成电路技术，新材料和新器件结构开始被广泛研究。二维范德华异质结由二维层状材料之间的范德华力结合，无需考虑晶格匹配和热膨胀系数匹配等制约因素，因其丰富的能带组合类型为设计新结构、多功能的电子器件带来了巨大的想象空间。因此，基于二维范德华异质结的存储、高频、逻辑等器件将在未来的微电子器件中发挥重要作用。二维半导体黑磷(BP)是一种具有各向异性的双极性半导体材料。直接带隙的黑磷具
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精神疲劳表现为主观感受到的疲惫、精力不足，会对人的工作效率乃至生命财产安全造成很大的危害，因此精神疲劳的监测预警具有重要的意义。依据精神疲劳发生后人体多种生理信号产生有规律的变化这一事实，基于多模态生理信号的精神疲劳检测方法表现出较高的检测准确率。然而常用的生理信号检测设备较为笨重、舒适感低、并可能带来皮肤过敏症状，不适合长期佩戴。表皮电子系统的超薄、低模量、重量轻、与皮肤共形接触的特性，符合精神
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忆阻器是目前最具应用前景的下一代非易失性存储器之一，其在器件结构、擦写速度、可微缩性、三维高密度集成等方面都具有明显优势。但目前忆阻器距离产业化仍有很大距离，根本原因是还有很多关键问题亟需解决。本文将基于密度泛函理论的第一原理计算围绕忆阻器介质材料计算方法、常用忆阻材料以及忆阻器中阻变机理等三个方面进行了理论研究。主要的研究工作和创新成果如下： 首先，在对原始能带计算方法DFT-1/2(LDA/
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