无论是在现在还是在未来的无线通信系统中,频段数目的增加要求通信系统的发展必须具备宽频带能力。从发射机的角度来看,功率放大器作为至关重要的组件,直接影响整个系统的带宽、效率、输出功率、工作温度等性能。这使得能够覆盖多个频段,同时具备高效率、高功率的宽带射频功率放大器正成为重要的研究重要课题。本文遵循功放设计步骤,利用辅助设计软件ADS,依据设计方案设计仿真并且实现了一款具有两级放大的宽带GaN HEMT射频功率放大器,并进行了实物加工测试。本文基于EDA软件成功设计了具有两级放大电路的宽带射频功率放大器,驱动级和末级功率放大器均选用科锐生产的系列GaN高电子迁移率晶体管CGH40010F,两级射频放大器工作方式为AB类,频段为2-3GHz。最终测试得到,驱动级功率放大器当输出功率达到30dBm,增益为14dB,末级功率放大器当输出功率达到39dBm,增益为13dB。本文主要内容如下:首先,论述了射频功率放大器的性能指标等理论基础,对关键的设计技术进行分析总结;其次,利用源牵引和负载牵引结合的方法设计了功率放大器的输入输出匹配网络,并结合基础设计理论和实际设计要求完成了宽带射频功率放大器的仿真设计步骤;最后,对驱动级和末级两级功率放大器进行了加工实测,实测结果与仿真结果匹配良好。