随着信息科学的不断发展,人们对电子器件的要求也向着集成化、小型化方向发展,但原始的电子器件只利用到了电子的电荷属性,这使得这种器件在发展过程中的发热和能耗问题越来越严重,从而摩尔定律似乎已经接近其有效性的极限了。但寻求进一步提高电子设备计算能力的研究热情却一直没有中断过,在这期间一门集成了磁学、电子学和信息学等多种领域的学科即自旋电子学逐渐出现的人们的视野中且受到的关注越来越多。在自旋电子学中自旋轨道耦合效应又是其一个非常重要的物理特性,所以对自旋轨道耦合效应的研究是自旋电子学中的重点。在本文中对自旋轨道耦合效应的研究主要分为两个方面,一个是铁电体GeTe,而另一个则是金属铂。我们知道近年来有一种叫做铁电Rashba半导体的材料体系受到了人们的关注,而GeTe又是这种材料体系中的一种代表材料,所以对GeTe材料性质的研究得到的结论在一定程度上可以代表对整个铁电Rashba半导体材料体系的认知。在本文中我们对GeTe的研究主要集中在外电场对该材料自旋轨道耦合和自旋霍尔电导的调控作用上,在研究过程中我们又主要是研究外电场、铁电极化和自旋轨道耦合效应这些物理量之间的关系。总之,我们的理论计算表明自旋织构与铁电极化密切相关,当铁电极化反转时,自旋方向也随之反转,这是由于极化反转时等效坐标系的变化。我们也发现自旋霍尔电导既有材料自身本征自旋轨道耦合效应的贡献,也有Rashba效应的贡献,而后者可以很容易地被外部电场调控。结果表明,电场可以用来调节FERSC材料的自旋和电子输运性质,这为自旋电子器件的设计提供了一个新的思考维度。自旋霍尔效应是由自旋轨道耦合效应引起的一种物理现象,而自旋霍尔电导又是表征自旋霍尔效应的一个重要物理量。在金属中进行对自旋霍尔效应的研究也是这些年来研究人员的一个关注点,而Pt又是其中比较特殊的一种金属,所以本文对Pt也进行了一定的研究。我们主要研究的是Pt的形变与自旋轨道耦合效应之间的关系,所以我们计算了不同形变下Pt的能带和自旋霍尔电导。通过理论计算我们发现在不同的形变下Pt的能带结构和自旋霍尔电导都会有所变化,而且自旋霍尔电导还有随形变增加而增加的趋势。我们也发现虽然形变对Pt的自旋轨道耦合效应有一定的调控作用,但其可调控的幅度还是比较小。