当前n型氧化物薄膜晶体管（TFT）已经能够胜任平板显示器件,但是更复杂的应用却需要基于n型及p型半导体的互补金属-氧化物-半导体（CMOS）构架。由n型及p型薄膜晶体管共同构成的CMOS器件是复杂逻辑电路的基石,其具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等优点。遗憾的是,大部分氧化物半导体都是n型的,p型氧化物半导体种类异常稀少且性能（器件迁移率等）远远落后于n型材料,这严重制约了基于氧化物半导体CMOS器件的发展。近年来,NiO_x由于其优异的光学性能和化学稳定性吸引了广泛的关注,是一种非常有前景的p型氧化物半导体材料。然而,对p型NiO_x-TFT的研究仍然处于初步阶段,需要进一步探索。本论文对溶液法制备p型NiO_x薄膜及其TFT器件进行了系统的研究,主要内容如下:第一,研究了不同退火温度对NiO_x-TFT器件性能的影响,发现器件的综合电学性能随着退火温度的升高先变好后变差。这主要是因为随着退火温度的升高,逐步消除了NiO_x薄膜中的有机残留物（C-,N-等相关组分）,从而使器件性能有了明显的改善。然而,随着退火温度的进一步升高,由于表面原子的团簇现象,加重了频繁的散射事件;而且在更高的退火温度下,进一步减少了Ni²⁺空位,降低了空穴载流子的浓度,这些都导致了器件性能的变差。实验表明250℃是最佳退火温度。第二,研究了不同有源层的厚度对NiO_x-TFT器件的影响。发现有源层厚度过小,空穴载流子会受到NiO_x薄膜背表面散射的影响,导致器件无法开启。有源层的厚度过大,NiO_x薄膜内部的缺陷态急剧增大,增加了空穴载流子在输运过程中散射及俘获的几率,从而使迁移率下降。第三,为了进一步提高器件的电学性能,我们研究了不同源漏电极及前驱体溶液中乙醇胺（MEA）的掺入对NiO_x-TFT器件的影响。研究表明金属电极的选择对NiO_x-TFT器件性能有较大的影响。同时我们发现前驱体溶液中MEA掺入会直接影响空穴载流子的含量。通过优化实验条件,NiO_x-TFT器件表现出良好的电学性能:μ（迁移率）=0.48cm²v^-1s^-1,S（亚阈值摆幅）=1.22 V/Dec,V_th（阈值电压）=11.8 V,I_on/off（开关比）=1.7×10³。第四,我们采用溶液法制备出的Al₂O₃代替传统的SiO₂栅介质,制备出了的NiO_x/Al₂O₃ TFT器件表现出了优异的电学性能:μ=5.92 cm²v^-1s^-1,S=0.13 V/Dec,V_th=-0.83 V,I_on/off=3.5×10⁶。NiO_x/Al₂O₃ TFT比NiO_x/SiO₂ TFT器件迁移率增大了10倍,阈值电压减小了15倍,开关比增大了三个数量级,电学性能得到了极大的提高。这主要归因于Al₂O₃较大的单位面积电容以及NiO_x和Al₂O₃低的界面态密度。