氮化镓（GaN）是一种具有较高的电子迁移率、较低的介电常数以及很好的导热性能的宽直接带隙半导体材料（室温下的带隙宽度为3.39 e V）,近几年,它在诸如激光二极管（LD）和发光二极管（LED）等光电子器件中得到了广泛的应用,且在高功率和高效率的5G基站端射频器件和电力电子器件中也有重要的应用。大多数GaN材料是在蓝宝石、单晶硅和6H-Si C等单晶衬底上外延生长的,然而这些单晶衬底制备成本高且尺寸较小,无法用来制作大面积的平板光源,多晶衬底如普通玻璃等虽然具有较大尺寸,但因其晶格常数和热膨胀系数与GaN不相匹配,难以生长出高质量的GaN薄膜,因此,寻找合适的衬底成为GaN材料研究的主要方向之一。本文选用镀锆（Zr）高硼硅玻璃作为衬底,以Zr金属作为中间层,解决了玻璃的晶格常数和热膨胀系数与GaN不匹配的问题,同时作为电与热的良导体,在工艺上也有一定的优势。传统的用于沉积GaN薄膜的技术都需要较高的温度条件,考虑到玻璃衬底在高温条件下存在的软化问题以及金属层粒子在高温条件下向GaN生长层扩散的问题,本研究采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在镀Zr高硼硅玻璃衬底上进行了GaN薄膜的低温生长。本文首先利用射频磁控溅射法在化学清洗过的高硼硅玻璃衬底表面镀上一层Zr金属薄膜,然后使用ECR-PEMOCVD设备在镀Zr高硼硅玻璃衬底上沉积生长GaN薄膜,以高纯氮气（N2）为氮源,三甲基镓（TMGa）为镓源,高纯H2为载气,在保持其他生长条件不变的条件下,分别改变TMGa流量和衬底温度来研究二者对于生长的GaN薄膜质量的影响,并利用反射高能电子衍射（RHEED）,X射线衍射（XRD）,原子力显微镜（AFM）和室温光致发光谱（PL）对不同条件下生长的GaN薄膜的晶体取向、晶粒尺寸、表面形貌以及光学特性进行系统的分析。结果显示,其他条件保持不变的情况下（N2流量为100 sccm,生长时间为180 min）,当TMGa流量为1.6 sccm,衬底温度为450℃时,可以在镀Zr高硼硅玻璃衬底上生长得到结晶质量较好的GaN薄膜。