论文部分内容阅读
ZnO是一种具有压电和光电特性的六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.3 eV，激子束缚能高达60 meV，保证了其在室温下较强的激子发光,因此, ZnO在紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来，ZnO研究已成为紫外发射材料研究的又一热点。近年来，ZnO薄膜的制备有许多先进的沉积和生长技术，如分子束外延（MBE）、磁控溅射、电子束蒸发、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、电化学、高温裂解、激光脉冲沉积（PLD）等