ZnO:Al薄膜相关论文
本文结合ZnO薄膜在Cu-III-VI基薄膜太阳电池上的应用,采用射频(RF)磁控溅射技术以陶瓷ZnO:AlO为靶材在ZnS/CuInS/Mo/钠钙玻璃衬底......
研究退火气氛对ZnO∶Al(Al掺杂的ZnO,AZO)薄膜电学、光学、微结构和缺陷的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍......
An Al-doped ZnO/p-Si heterojunction is fabricated by a laser molecular beam epitaxy technique. The abnormally high ideal......
透明导电薄膜(TCO)具有低的电阻率、可见光范围高的透射率,由于其独特的电学和光学特性,在众多领域得到了广泛的应用。相对于ITO材......
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的II-VI族宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度高达3.3 eV。由于氧化锌具有较高的激子束缚能(60meV)，保......
ZnO是一种自激活半导体材料,具有六角纤锌矿晶体结构,室温下直接带隙宽度为3.2 ~ 3.4 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO无毒,原料廉价......
用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出附着性好、电阻率低、透射率高的ZnO:Al透明导电膜.研究了薄膜的结构、电学和光学特性.......
ZnO :Al(ZAO)是一种N型半导体薄膜材料 ,具有优良的光电特性 ,如低的电阻率和高的可见光透过率。本文利用射频磁控溅射技术在无机......
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al/Zn原子比为0.1%的ZnO∶Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1~5 h不同时间退火处理,利用X射线......
用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ（简称ＺＡＯ）薄膜，研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌、并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了......
以二水合醋酸锌为原材料，采用溶胶-凝胶浸涂法在钠钙玻璃基片上制备了具有C轴择优取向的ZnO：Al薄膜，考察了铝掺杂浓度对薄膜结晶性与......
采用Zn靶和ZnO（掺2%Al2O3（质量分数））陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜,即ZnO：Al透明导电薄膜,研究Zn靶溅射功率（0～90 W）和衬底......
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO：Al（AZO）缓冲层，并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构......
目前，磁控溅射制备ZnO：Al薄膜时的溅射压强较低，若氩气流量不稳或腔室排气口处气流扰动会对溅射压强产生较大影响，影响成膜质量。为提......
ZnO:Al薄膜是一种N型宽带隙半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性.采用射频磁控溅射工艺,在室温......
采用溶胶-凝胶法制备ZnO：Al（ZAO）薄膜，得到了不同掺Al^3＋浓度的ZAO薄膜；利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探......
用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ薄膜，研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌，并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了ＸＰＳ和ＡＥＳ分析......
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al／Zn原子比为0．1％的ZnO：Al薄膜，在500℃的氩气中进行了1～5h不同时间退火处理，利用X射线衍射（XRD）、......
ZnO:Al薄膜以其低电导率、高可见光透射率、高红外光反射率等光电特性和原料易得、低成本、无毒、易掺杂、在等离子体中稳定性好、......
采用直流磁控溅射技术在柔性衬底聚酰亚胺（PI）上制备ZnO：Al透明导电薄膜，研究氩气压强对样品薄膜结构、形貌和光电性能的影响，并与玻璃......
以锌、铝合金(ω(Al)=3%)为靶材,利用直流反应磁控溅射法制备了系列掺铝氧化锌ZnO:Al(ZAO)薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子......
利用射频磁控溅射法，采用氧化锌铝（98％ZnO＋2％Al2O3）为靶材，在普通载玻片上制备了ZAO（ZnO：Al）薄膜，研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、......
采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO：Al（AZO）薄膜,溅射气压为0.2～2.2 Pa.通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针和紫外–可......
利用溶胶-凝胶技术在玻璃衬底上制备了ZnO：Al薄膜，表征了薄膜的结构、光透过和光致发光特性，探讨了热处理温度对薄膜晶体结构和光学性......
利用磁控溅射法，在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO：Al（Al掺杂的ZnO或AZO）薄膜，制备具有半导体特性的NiO／ZnO：Al透明异质结二极管。使用UV-......
采用无机盐溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了ZnO：Al薄膜,利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）研究了退火温度和退火时间对ZnO：Al薄......
采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3＋掺杂浓度的ZnO：Al薄膜,利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱......
Transparent conducting Al-doped zinc oxide (ZnO:Al) films with good adhesion have been deposited on polyimide thin film ......
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO：Al薄膜，并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响......
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向,c轴晶格......
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO：Al透明导电薄膜,研究生长温度和退火气氛对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表......
采用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备ZnO：Al（AZO）薄膜，通过不同温度的退火处理，研究了退火对AZO薄膜结构和光致发光特性的影响。XRD图谱......
利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO:Al透明导电膜.研究了薄膜的结构和光......
ZnO是一种被广泛关注的宽禁带半导体，在室温下，其禁带宽度为3.37eV，能量对应于光谱中的近紫外波段，可用来对该波段的辐射进行探测；激子......
本文在太阳能电池透明导电层的绒面陷光理论基础上,研究了不同导电层制备工艺参数和表面刻蚀处理工艺条件对ZnO薄膜表面形貌特征的......
