【摘 要】
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本文采用基于第一原理的计算方法研究了原子氧在单晶铝不同取向表面上的吸附.计算结果表明,氧在单晶铝(001)面稳定的吸附位为洞位、桥位、顶位,吸附能的范围为10.03~13.48eV/
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本文采用基于第一原理的计算方法研究了原子氧在单晶铝不同取向表面上的吸附.计算结果表明,氧在单晶铝(001)面稳定的吸附位为洞位、桥位、顶位,吸附能的范围为10.03~13.48eV/atom,其中吸附能最大的吸附位为桥位,形成正方Al-O二维结构;在单晶铝(110)面稳定的吸附位为洞位、桥位(包括短桥位和长桥位)、顶位,吸附能的范围为10.32~13.78eV/atom,吸附能最大的吸附位为洞位,形成正交或不规则六角Al-O二维结构;在单晶铝(111)面稳定的吸附位为再顶位和次顶位,吸附能的范围为4.14~14.39eV/atom,其中吸附能最大的吸附位为洞位,形成规则六角Al-O二维结构.Al原子以置换方式存在固溶体Ti<,1-x>Al<,x>N薄膜中,Al的含量对Ti<,1-x>Al<,x>N的性能和晶体结构有影响.计算结果表明,NaCl结构的TiAlN体系中,与TiN相比,Al替代Ti位置时,晶格常数减小,且代位铝的原子分数越大,晶格常数越小,Ti原子d轨道电子不发生变化,没有新能级产生.
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