聚吡咯易于合成，掺杂后导电性能高，微结构可调控等优点受到广泛关注，在电化学储能领域有着广阔的应用前景。本论文设计合成了聚吡咯/二氧化钛纳米复合材料以及聚吡咯纳米阵列材料，并研究了它们的电化学储电性能。采用脉冲伏安法进行电聚合反应，聚吡咯电沉积修饰二氧化钛纳米管阵列形成聚吡咯/二氧化钛纳米复合材料，扫描电镜微结构表征结果显示，聚吡咯包覆在二氧化钛纳米管基底上，形成排列整齐、结构紧密、管壁厚度均匀的复合纳米管;红外光谱和拉曼光谱分析结果证明聚吡咯纳米膜的存在;电化学循环伏安测试结果显示，聚吡咯/二氧化钛纳米复合材料以离子掺杂/去掺杂方式进行电化学储能。恒电流循环充放电测试电化学储电性能显示，其比电容、比能量和比功率分别为179 F·g-1，7.8 Wh·Kg-1和2.8 KW·Kg-1。聚吡咯电沉积修饰金属钛片形成聚吡咯/钛纳米复合材料，扫描电镜微结构表征结果显示，聚吡咯覆盖在钛片基底上，形成一层纳米薄膜;恒电流循环充放电测试结果显示，其比电容、比能量和比功率分别为27.9 F·g-1，1.22 Wh·Kg-1和0.875 KW·Kg-1。因此，调控电极基底材料的微结构可以提高聚吡咯复合材料的电化学储电性能，有序结构的聚吡咯/二氧化钛纳米复合材料表现出更高的电化学电容性能。　　 以聚吡咯/二氧化钛纳米复合材料为前驱体，采用化学溶解腐蚀方法，合成三种不同形貌特征的聚吡咯纳米阵列材料。聚吡咯纳米孔阵列材料的微结构表征结果如下，该材料具有孔径均匀，两端导通的纳米孔阵列结构，孔直径为130 nm-200 nm，孔壁厚为25 nm-40 nm。电化学循环充放电测试结果显示，其比电容，比能量和比功率分别为17.61F·g-1，1.22 Wh·Kg-1和0.44 KW·Kg-1。聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料的微结构表征结果如下，纳米管嵌入到纳米孔中形成同轴结构，孔直径为135 nm-225 nm，孔壁厚为25nm-45 nm，管直径为90 nm-135 nm。电化学循环充放电测试结果显示，其比电容，比能量和比功率分别为11.36 F·g-1，0.69 Wh· Kg-1和0.25 KW·Kg-1。聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料的微结构表征结果如下，纳米柱嵌入到纳米孔中形成同轴结构，孔直径为115 nm-215 nm，孔壁厚为25 nm-35 nm，柱直径为80 nm-135 nm。电化学循环充放电测试结果显示，其比电容，比能量和比功率分别为32.05 F·g-1，2.71 Wh·Kg-1和0.98KW·Kg-1。因此，调控聚吡咯纳米阵列材料的微结构可以改善其电化学储电性能。