碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下理想的半导体材料。在功率半导体器件领域，具有高功率和高温可靠性的SiCVDMOSFET器件是极具潜力的竞争者，可以广泛应用于军事及民用设备的功率电子系统领域.。本文采用4H–SiC作为器件材料，研究了两种碳化硅功率VDMOSFET，即新型结构SiCVDMOSFET和典型结构SiCVDMOSFET。利用Silvaco软件对这两种结构的器件和性能进行仿真。主要研究内容如下：首先，简要介绍了垂直导电功率场效应晶体管(VDMOSFET)的研究现状和发展历史；然后介绍了VDMOSFET功率器件的基本结构和工作原理及VDMOSFET的特性参数。针对功率VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾，介绍了几种新型器件结构的工作原理和结构特点，以及其在制造工艺中存在的问题。最后，提出了一种新型结构SiCVDMOSFET结构，对其进行了模拟分析，并与典型结构SiCVDMOSFET进行比较。主要对击穿电压、I-V输出特性、转移特性进行了仿真分析，还研究了新型结构p+型掺杂区参数的变化对器件击穿特性的影响。