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摘要：研究表明,施加磁场可以显著改变不含磁性材料的有机半导体器件的光致发光、电致发光、注入电流和光电流等参数,这种效应称为有机半导体器件中的磁场效应(Magnetic-Field Effects, MFE),简称有机磁场效应。由于有机磁场效应在室温、低磁场下拥有较高的灵敏度,而且其调控器件的能力可以作为实验手段用以研究有机器件中的电荷传输和激发态过程,指导优化传统的有机光电器件并开发新型的磁头、磁传感器,具有较高的研究意义和科学价值。本文制备了以poly(3-hexylthiophene)(P3HT)为活性层的有机光电器件,主要研究器件光电流随磁场的变化。通过改变活性层厚度、材料等条件得到了正向、负向的磁场效应,并结合激发态行为如激发态分离作用、激子-电荷作用等分析产生磁场效应的内部机理。本文主要工作如下：1)制备了结构为ITO/PEDOT/P3HT/A1的单层薄膜器件。在零偏压下,测试光电流随磁场的变化。通过改变膜厚,磁场效应由正效应减弱直至变为负效应；掺杂重金属的配合物Ir(ppy)3,磁场效应也会变小。由于单线态和三线态的扩散距离、激发态寿命不同,对光电流的贡献方式不一样,磁场调控了激发态的比例造成了磁场效应,而活性层厚度直接决定了激发态的分离和收集的难易度,体现为磁场效应随着器件活性层的厚度改变而变化。2)制备了结构为ITO/PEDOT/P3HT:PCBM (1:x%)/Al的P3HT:PCBM共混薄膜器件,并测量了其光电流在零偏压下的磁场效应,发现给受体比例的增大使磁场效应逐渐湮灭。当PCBM加入时,磁场效应不会像单层器件一样随着膜厚变化而改变。我们认为,给受体界面的加入使得单线态和三线态同样以激发态分离的方式对光电流做出贡献,磁场虽然调控了比例但是已经不会对光电流造成影响。此外,由于给受体界面的加入使得单线态在较厚的器件中解离和收集的几率提高,体现先正后负的磁场效应。