【摘 要】
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纳米碳化硅薄膜和晶须的制备及其光电子性质研究在当代社会科技发展中占有相当重要的地位.因为它是第三代半导体,对于21世纪的信息科技和纳米科技的发展具有决定性作用.采用
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纳米碳化硅薄膜和晶须的制备及其光电子性质研究在当代社会科技发展中占有相当重要的地位.因为它是第三代半导体,对于21世纪的信息科技和纳米科技的发展具有决定性作用.采用高氢稀释、高功率密度、偏压预处理和低反应气压制备出纳米碳化硅4H多型薄膜.研究了工艺参数、微观结构和电学性质和光学性质.采用SOL-GEL方法制备出纳米碳化硅晶须.其直径达到1~30nm,纯度极高.对于碳化硅多型异质结进行了研究.根据量子光学理论对纳米碳化硅几进行了理论和实验研究.该文此为中心展开了实验和理论研究.
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