随着微波产品不断向高频发展,对于微波电路中元器件的性能要求也在逐渐地提高。目前,微波集成电路中常用的传输线包括金属波导、同轴线和微带线等,这些传输线虽然拥有技术成熟、价格便宜的优点,但是却无法满足器件小型化、高集成度的要求。为了解决这一困境,美国Nuvostronics企业于2004年提出了铜基3D微同轴传输线技术,该同轴传输线拥有集成密度高、尺寸精度高、体积小、插损低等优点。在微同轴的加工流程中,需要对铜/光刻胶复合材料进行化学机械抛光（chemical mechanical polishing,CMP）,以满足微同轴的精度要求。微同轴的抛光需要两步,第二步是将铜/光刻胶复合材料以合适的速率选择比共同去除5μm左右。本文针对微同轴抛光的第二步,研究了抛光液各组分和工艺对于铜和光刻胶去除速率的影响,以及通过调整抛光液组分和工艺,降低抛光后铜和光刻胶之间的高低差,实现微同轴的平坦化。1.目前国内外关于光刻胶CMP的研究很少,其抛光速率的控制因素也并不清楚。本文研究了抛光液每个成分（磨料、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、p H）,以及CMP工艺（压力、流量、转速）对于铜和光刻胶抛光速率的影响,并分析了其机理。实验结果显示,抛光液中SiO2质量分数、pH或H2O2体积分数的升高能有效提升光刻胶的抛光速率,其中Si O2的影响最大,络合剂和缓蚀剂的加入对光刻胶抛光速率的影响不明显。Si O2、甘氨酸和H2O2的增多会提升铜的抛光速率,但含量过高后铜的速率不会继续增加。p H的升高会使得铜的抛光速率略降,缓蚀剂对于铜抛光速率的抑制和表面的改善十分有效。压力的增大会提高铜和光刻胶的抛光速率,对光刻胶的提升幅度更高,随着流量和转速的增大,铜和光刻胶的抛光速率都是先增大,后减小。2.现阶段微同轴第二步CMP中平坦化的问题没有得到很好的解决,目前商用的抛光液无法降低抛光后光刻胶和铜之间的高低差。本文在之前实验的基础上,通过改变抛光液组分和工艺,以调整光刻胶/铜的速率选择比,最终在保证一定抛光速率的前提下,显著降低了抛光后光刻胶和铜之间的高低差。