功率集成电路大致可分为两类。一类是智能功率集成电路(Smart Power IC),另一类是高压集成电路(High Voltage IC)。高压集成电路是高压电子器件与起控制作用的传统逻辑电路或模拟电路的单片集成。功率集成电路已经在马达控制、电子镇流器、汽车电子、平板显示、开关电源等领域得到了应用,预计将是发展最快、最受欢迎的功率半导体器件。本文分析和设计了一种高压高速、适于功率MOSFET和IGBT的半桥驱动集成电路。根据应用要求进行了电路的总体结构设计,完成了施密特触发器、死区时间控制、欠压锁存、高低端驱动信号输出、脉冲产生电路、高电位平移、脉冲滤波器、RS触发器等模块电路的分析和设计。在完成原理分析与电路设计的基础上,应用Spectre仿真工具对各个电路模块进行了仿真。由于该驱动电路中耐高压器件的特殊性,本文介绍了LDMOS中经常使用到的结终端技术和隔离技术,初步设计了适用于本电路的LDMOS,并对其结构进行了讨论。以标准的P阱CMOS工艺为基础,参考国际上流行的BCD工艺,结合本电路的特殊性,完成了器件和电路的版图初步设计。