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Cs Pb X3(X=Cl,Br,I)全无机钙钛矿量子点作为一种新型光电材料,因其性能优异、制备工艺简单,在发光二极管、白光LED照明及太阳能电池等众多领域展现出了极大的应用潜力。但由于钙钛矿量子点的形成能低,结构不稳定,在水、氧、光和热的作用下容易被分解,导致其光学性能降低,限制了其进一步的应用。本文采用相对简单的超饱和重结晶法,通过改变前驱体的加入量和反应温度,探究了CsPbBr3量子点的结晶生长过程;采用有机物基质EVA树脂作为制备柔性薄膜的基体材料和量子点的包覆材料,进一步用无定形SiO2对CsPbBr3量子点进行二次包裹,以避免量子点与水氧分子的直接接触,从而提高量子点的稳定性。研究内容及主要结论如下:(1)采用超饱和重结晶法,以油酸(OA),油胺(OAm)为配体合成CsPbBr3量子点,通过TEM及HRTEM研究了前驱体加入量和反应温度对量子点结晶生长过程的影响。结果表明,CsPbBr3量子点结晶生长过程由Ostwald熟化与自组装机制共同作用,随着前驱体加入量的增加和反应温度的升高,量子点临界尺寸减小,自组装效应增强,导致大颗粒的量子点增多,尺寸分布逐渐宽化。通过控制前驱体的加入量和反应温度可合成尺寸均一、分布均匀的量子点:当前驱体的加入量为0.2 m L,反应温度为20℃-30℃时,合成的CsPbBr3量子点尺寸均匀,平均尺寸约为10 nm。(2)为了改善CsPbBr3量子点的稳定性,本文以EVA树脂作为量子点的包覆材料,制备CsPbBr3 QDs/EVA薄膜复合材料,分别探究了前驱体加入量和反应温度对所得薄膜材料的光学性能的影响,以SEM、EDS、XRD、TG、FT-IR及PL等表征手段研究了复合材料的微观结构、物相组成、热学性质及光学性能。结果显示,前驱体加入量为0.2 m L,反应温度为30℃时,制备的CsPbBr3QDs/EVA复合材料荧光强度较高,发光峰位为521 nm,半高宽21 nm。浸水40h后,其荧光强度能保持在原来的67.6%;紫外光照30 h后,荧光强度能维持在69%;空气中放置90 d后保持率为63.4%。上述结果表明,EVA树脂包裹能有效隔绝量子点与水分的接触并延缓氧气侵入,明显提高了CsPbBr3量子点的耐水性、光稳定性和在空气中的长期稳定性,但水氧分子依然会通过材料表面残留的气孔进入到材料的内部,破坏量子点的结构。(3)在上述实验的基础上,采用TEOS水解后形成的无定形SiO2对量子点进行二次包裹,研究了TEOS含量和反应温度对所得薄膜光学性能的影响。结果表明,TEOS加入量为0.06 m L,反应温度为35℃时,TEOS水解后形成的无定形SiO2对量子点形成了有效的包裹,量子点在SiO2内部分布均匀,量子点的尺寸在10 nm左右,制备的CsPbBr3 QDs@SiO2/EVA薄膜材料的发光性能较好。浸水40 h以后,材料的荧光强度仍能维持原有荧光强度的84%;紫外光照40 h后,材料的荧光强度维持在77.7%;放置120 d后,材料的荧光强度仍能维持在的77.6%。SiO2层对量子点起到了很好的保护作用,不仅阻止了进入材料内部的水氧分子对量子点的侵蚀,还能提高量子点的分散性,防止其团聚在一起发生荧光淬灭和阴离子交换反应,经过EVA树脂和SiO2的二次包裹,量子点的稳定性得到有效提升。