静电放电ESD(Electro-Static Discharge)现象无处不在,据统计ESD对集成电路(IC)造成的损失高达58%以上,它已成为影响IC可靠性的最大因素。本文基于深亚微米工艺进行ESD防护器件与防护网络研究,主要研究深亚微米工艺下ESD防护器件的工作机理、不同的器件结构及参数对ESD防护能力的影响。电压钳位电路是ESD防护网络中最重要的组成部分,本文提出了一种新型动态电压钳位电路,它比传统动态电压钳位电路开启速度更快、泄放静电电流时间更长、并且版图面积只有后者一半。本文采用深亚微米工艺设计了无源超高频射频识别电子标签芯片(简称电子标签芯片)和锂电池保护芯片的ESD防护网络。电子标签芯片是一款典型的数字、模拟、射频混合芯片,通过把电压钳位电路(Power clamp)设计在不同电源域的交接面,省去了不同电源域之间的静态Power Clamp,测试结果表明电子标签芯片的ESD防护能力达到3KV以上。锂电池保护芯片采用深亚微米BCD(BIPOLAR CMOS DMOS)工艺进行设计,芯片电压范围为5V~22.5V,芯片中V1~V5端口采用低压隔离PMOS管和NMOS管堆叠方式进行设计,整颗芯片的ESD防护网络设计面临巨大挑战,本文在掌握ESD防护原理的基础上,基于芯片级ESD测试方法以及实际工程经验,提出了一种新型ESD防护网络。