【摘 要】
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在GHz以上的高频集成电路里,电感寄生效应已经严重影响了电路的性能,必须研究有效的算法提取互联电感电阻,K参数矩阵(部分电感矩阵的逆)由于其较好的局部化特性被广泛接受并
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在GHz以上的高频集成电路里,电感寄生效应已经严重影响了电路的性能,必须研究有效的算法提取互联电感电阻,K参数矩阵(部分电感矩阵的逆)由于其较好的局部化特性被广泛接受并应用于对互联电感效应进行建模,目前Synopsys的寄生参数抽取工具Star-RCXT已经将使用K参数抽取电感作为商业化推出,并且模拟工具hspice也已经可以直接读取K参数进行电路模拟。本文主要描述了对Star-RCXT的K参数抽取基本理论,K参数和L参数的相互转化,Star-RCXT的K参数抽取与FastHenry的精度及速度对比,以及参数K的应用。
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