InGaAs/GaAs应变量子阱在现代光电材料和器件的应用中具有非常重要的地位。本论文从多个方面对InGaAs/GaAs应变量子阱的生长和性质进行了讨论和研究，主要内容包括：InGaAs/GaAs多量子阱的生长与光学性质研究、光泵浦垂直外腔面发射器的理论研究、应变补偿技术在InGaAs/GaAs应变量子阱中的应用以及In偏析对材料光学性质的影响等几个部分。各部分的主要研究内容及研究结果如下：　　 1.我们讨论了应变对InGaAs/GaAs量子阱能带的影响，阐述了应变量子阱的能带理论，应变弛豫对量子阱能级的影响，同时也阐述了临界厚度对组分和应变的依赖关系，以及温度对量子阱带隙的影响，并且制备出980nmInGaAs/GaAs应变量子阱材料。　　 2.理论分析了980nm光泵浦垂直外腔表面发射半导体激光器的特性。计算得出其阈值功率、输出功率随量子阱数目而变化，光斑直径越大输出功率越小。考虑热效应后，输出功率随着输入功率增加而增加，当输入功率到达某个极限时，输出功率开始降低。　　 3.开展了应变补偿技术在InGaAs/GaAs应变量子阱中的应用研究，得到了具有优良室温发光特性的多层InGaAs/GaAs应变量子阱，其峰值波长的发光强度相比未采用补偿技术的量子阱有了较大程度提高，同时其半高宽(FWHM)与相同结构的单量子阱的半高宽非常接近。通过对PL谱、AFM和XRD数据的分析，上述实验结果得到了合理的解释。　　 4.针对生长过程In偏析现象，基于Muraki模型，利用光致发光谱解释了In偏析对应变量子阱InGaAs/GaAs光学性质的影响，并深入探讨了如何利用不同的生长参数(如生长温度，生长速率等)和不同生长方式来消除InGaAs/GaAs应变量子阱中的In偏析现象。