稀磁半导体兼具半导体材料和磁性材料的双重特性,而且其在光学、磁学、电学等领域具有特殊的效应,基于稀磁半导体我们可以得到很多新的多功能器件。而且稀磁半导体材料的研究推动了自旋电子学的发展。因此稀磁半导体的研究不论从理论上还是从应用上来说都具有非常重要的意义,成为近年来国内外研究的热点。本文对Cd1-xMnxS纳米线的制备和性质进行了系统的研究。　　 本文采用二次阳极氧化法制备出高度有序、孔径可控的多孔氧化铝模板。通过直流电化学沉积的方法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线。用XRD、SEM、TEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析。结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线粗细均匀,直径与所用模板的孔径相当。Cd1-xMnxS纳米线呈单晶结构,但是存在较多的缺陷,沿002方向有择优取向性。热处理后,Cd1-xMnxS纳米线的单晶结构得到优化。Mn的掺入使晶格常数减小。样品的紫外-可见光反射谱显示,Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大,在低浓度处存在一个“bowing”。掺杂度在1％处能隙有最小值。热处理样品的吸收边有个11.6nm的红移。采用高灵敏度磁测量系统MPMS-XL7型量子扰动超导探测器(SQUID)对得到的样品进行了磁性测量。从ZFC/FC曲线可以看出未热处理的样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异的现象,说明材料存在两种磁性相。热处理后的样品居里温度提高到300K以上,而且在45K和300K的磁滞回线说明样品有铁磁性。