【摘 要】
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该文选取最有希望并入Si CMOS电路的平面SiGe PMOSFET器件进行研究,在全面总结应变SiGe材料物理参数模型基础上,以半导体器件二维数值模拟程序MDEICI为手段,探讨了SiGe PMOS
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该文选取最有希望并入Si CMOS电路的平面SiGe PMOSFET器件进行研究,在全面总结应变SiGe材料物理参数模型基础上,以半导体器件二维数值模拟程序MDEICI<[1]>为手段,探讨了SiGe PMOS器件物理,分析了器件的沟道开启、空穴分布、直流稳态特性、漏结击穿特性、交流小信号特性、开关特性随垂直层结构和参数的变化规律,初步研究了短沟道效应（SCE）、漏致势垒降低效应（DIBL）、MOS反型层量子力学效应（QME）对于器件性能的影响,比较全面地对比了SiGe PMOS和Si PMOS器件物理及电学性能差异.最后总结 PMOSFET结构参数设计原理,完成了有效沟长为0.13μm的SiGe PMOSFET结构设计,模拟获得了相对于Si PMOSFET饱和电流、跨导和截止频率提高20﹪～60﹪的结果,表明深亚微米尺度下SiGe PMOSFET对于Si PMOSFET仍具有明显优势.
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