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氧化铟属于宽禁带半导体材料，化学稳定性强.近年来，随着对Sn掺杂In2O3薄膜(即ITO)的研究，因其具有低电阻率和高透光率特性，被广泛应用于平板显示、太阳能电池和光电器件等领域.但是制备高品质In2O3薄膜的实验条件还有待挖掘，高温退火对薄膜的影响不是很清晰，以及其他金属掺杂的相关研究很少.因此，本论文基于以上三个方面进行了研究. 利用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上和载玻片衬底上分别沉积In2O3薄膜.通过改变实验参数，得到制备薄膜的最佳沉积条件.X射线衍射(XRD)图谱分析得出所有薄膜显示(222)衍射峰，属于体心立方晶格结构.扫描电子显微镜(SEM)图像表明Si衬底上沉积的薄膜表面光滑致密，结晶性良好，平均晶粒尺寸约为25nm左右，与Scherrer公式计算得出的结果相近(28.3 nm).EDX图谱表明薄膜只含有In，O和Si元素，没有其它杂质元素.载玻片衬底上于最佳制备条件下沉积的薄膜表面晶粒呈三角锥形，大小为30 nm左右.用四探针法测量样品的电阻率，Si衬底上的样品最低为2.673×10-3Ω·cm，小于载玻片上的7.940×10-3Ω·cm.用分光光度计研究样品的光学性能，在可见光范围内，Si衬底上沉积的薄膜，对应于651 nm处的红光，反射率最低，为8.0％;而相对520 nm处的绿光，反射率最大，为17.9％;在载玻片上制备的样品，对应于579 nm处有最高的透射率，达到48.1％，平均透光率为44％. Si(100)衬底上，对最佳制备条件下沉积的In2O3薄膜进行800℃退火1h处理.XRD分析表明薄膜的(222)衍射峰宽度变窄，强度增加.SEM图像显示颗粒变大，晶粒尺寸达到70 nm左右，但是缺陷增多.退火后薄膜的电阻率减小，为8.566×10-4Ω·cm，并且反射率下降，最低达到6.6％. 利用射频和直流共溅射的方法，只改变直流靶溅射功率，在Si(100)和载玻片衬底上制备Zn掺杂In2O3(Zn-In2O3)薄膜，并将其在800℃下退火1 h.XRD测试表明Zn-In2O3薄膜显示为多晶并且显示(222)择优取向，随溅射功率增加，峰强先增大后减弱.退火后薄膜(222)衍射峰明显高于未退火的，载玻片衬底上沉积的样品峰强最低.样品电阻率随溅射功率的增加而减小，退火后样品的电阻率最小能达到8.675×10-4Ω·cm.当溅射功率为60 W时，Si衬底上的Zn-In2O3薄膜对664.5nm处的红光反射率最高，达到9.9％.退火后，样品的反射率增强，在366.7 nm紫光处为9.8％.载玻片衬底上沉积的Zn-In2O3薄膜在可见光范围内的平均透光率达到78.0％. 采用射频和直流共溅射的方法，只改变直流靶溅射时间，在Si(100)和载玻片衬底上制备Al掺杂In2O3(Al-In2O3)薄膜，并将薄膜在800℃下退火1h处理.XRD图谱表明薄膜显示(222)择优取向，衍射峰向大衍射角方向偏移，退火后薄膜的(222)衍射峰最强.载玻片上沉积的薄膜的电阻率为7.649×10-2Ω·cm.退火前后，薄膜的电阻率都随溅射时间先增大后减小.Al-In2O3薄膜反射率得到增强，最大处为20.1％，对应于712.2 nm处的红光.退火后样品的反射率进一步增加.当溅射功率为50 W，溅射时间为10min时，在载玻片衬底上沉积的Al-In2O3薄膜最大透射率为61.5％，可见光范围内的平均透射率为51.0％.