存储器是各大电子产品的核心部件之一,随着科技的不断进步生活水平的不断提高,人们无疑对电子产品中使用的存储器的性能提出了跟高的要求,比如低功耗、高速度、良好的稳定性等。现今世界各大高校及研究机构都在开展下一代存储器的实验研究活动。最近几年,基于电阻转变现象的非挥发性存储器被广泛研究,这种存储器模型的基本实现原则是利用器件高阻态(HRS)和低阻态(LRS)来存储数字信息“0”和“1”(或者相反),并且这两种存储状态能够实现控制并转变。基于薄膜材料可逆电阻开关效应的电阻式存储器(RRAM)因其具有高速、低压低功耗、结构简单、可高密度集成、较长的数据保存时间和极佳的尺寸缩小性等优势,并且其制备工艺与传统的CMOS工艺兼容,被认为有望成为下一代通用非挥发性存储器。　　硅一直以来就作为最重要的半导体材料,而二氧化硅也作重要的绝缘层材料,,广泛应用于各种集成电路的制造工艺中。本课题实验以多晶硅为靶材,氩气和氧气为溅射气体,采用直流反应磁控溅射法制备二氧化硅薄膜,直流反应磁控溅射法可在常温下制备二氧化硅薄膜,且有可控性好,薄膜沉积速率快等特点。　　在本课题实验中,我们通过多道实验工序来制备Cu/SiO2/n+-Si/Cu三明治结构的薄膜器件,通过薄膜厚度测试仪、X射线衍射仪(XRD)等薄膜表征方法及I-V测试平台对 SiO2薄膜的生长状况以及它的电阻开关特性进行研究,并讨论了不同的薄膜厚度、溅射气体氧氩比和退火温度等溅射条件对器件阻变特性的影响。然后通过实验测试结果对Cu/SiO2/n+-Si/Cu结构器件的阻变机制进行了简单分析。结果表明,通过直流反应磁控溅射法制备的该器件结构具有良好的电阻转变现象发生,并且 SiO2薄膜器件的阻变特性以及一些关键实验数据与溅射时间、退火温度和制备氧氩比等薄膜制备条件有较大关系,最后我们认为SiO2薄膜器件的阻变机理是通过在SiO2薄膜层中形成一由Cu原子构成的导电细丝来实现的,在外加激励电压的作用下,通过导电细丝断裂与连通实现了高低电阻状态的转变。