半导体发光二极管(Light Emitting Diode),简称LED,它是将电能转化为光能的电致发光器件。LED光源具有体积小、功率低、能更好地反映被照射物体的真实颜色,并且使用寿命长、亮度高且低热量、坚固耐用、安全环保等特点,所以LED在照明领域的应用前景非常广阔。随着人们对LED了解的越来越多,其应用也日渐广泛,例如在指示灯、显示屏背光源等应用领域。制备LED器件时,P-GaN作为出光面,在其上方沉积金属层作为导电电极。由于半导体材料的载流子浓度较低,导电性差,电流不能很好的扩展,限制了出光效率。因此,为了提高出光效率,其出光面和电极之间需要一种既要有良好的导电性,又有很好的透光性的薄膜材料,有源区产生的光才可以均匀的透出来。氧化铟锡(Indium Tin Oxide),简称ITO,是一种重掺杂、高简并的n型半导体,它同时具有较高的电导率和可见光区透过率。ITO薄膜的其它优点也非常突出,化学稳定性好,热稳定性高,同时具有对衬底的良好的附着性,并且便于图形加工。由于ITO薄膜的优异特性,其在半导体光电器件中得到了非常广泛的应用,如在显示器和太阳能电池中的应用,在LED器件中更是作为电流扩展层成为了不可或缺的组成部分。根据制备原理的不同,主要分为化学法和物理法两大类。其中,化学方法主要包括溶胶-凝胶法、喷雾热解法、均相沉淀法和化学气相沉积等；物理方法主要包括蒸发沉积、激光脉冲沉积(PLD)和磁控溅射法等。本实验采用磁控溅射法进行薄膜的制备,靶材使用的是(90wt%In2O3+1Owt%Sn02)的ITO陶瓷靶。利用四探针仪进行了薄膜方块电阻测试,利用紫外-可见分光光度计进行透光率测试,利用台阶仪进行了膜厚测试。实验通过改变02流量、溅射功率、溅射压强和沉积温度研究了对ITO薄膜的方块电阻及透过率的影响,并对其影响的原因进行了分析和解释。实验中得到了一组光电性能较为理想的ITO薄膜,在02流量为0.2sccm, Ar流量为80sccm,溅射功率为260W,沉积气压为2.0mTorr,沉积温度35℃,薄膜厚度120nm时,方块电阻为29.2Ω-/sq,可见光(波长455nm)透过率为99.3%。