【摘 要】
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在器件中引入应变硅技术,通过应力对沟道的作用,可以增强载流子迁移率,提高器件性能。在器件尺寸不断缩小的今天,基于CMOS工艺的应变硅技术正得到越来越广泛的应用。氮化硅致
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在器件中引入应变硅技术,通过应力对沟道的作用,可以增强载流子迁移率,提高器件性能。在器件尺寸不断缩小的今天,基于CMOS工艺的应变硅技术正得到越来越广泛的应用。氮化硅致应变技术属于应变硅技术的一种,通过在器件上淀积高应力氮化硅薄膜,对沟道引入应力,提高载流子迁移率,达到优化器件性能的目的。相比于其他应变硅技术,氮化硅致应变技术在工艺上更加简单,且有着更低的成本,具有很好的发展前景。本论文主要对氮化硅致应变技术进行分析,研究其应力引入技术机理及实现方法。本论文研究了氮化硅薄膜产生应力的原因,分析了应力引入器件的方法及其实现的方式,探讨了生长条件对薄膜应力的影响,在此基础上设定适当的工艺条件,在硅片上成功淀积出本征应力高于1GPa的氮化硅薄膜,对实验结果进行分析,与理论研究结果相符合。
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