早期的系统板上功率输出器件和逻辑控制部分是分离的,通过印刷电路板(PCB)连接在一起,不仅功耗过大,集成度很低,同时可靠性也差。随着集成电路技术的不断发展和手持便携设备的不断小型化和低功耗化,功率集成技术由此而产生。本文对高压器件并联输出级结构设计及其工艺进行了研究。论文首先在标准CMOS工艺基础上,对与标准CMOS工艺兼容的横向高压器件进行研究,给出一套适合于标准CMOS工艺的改造方案,并用工艺仿真软件ATHENA实现了改进的HV-CMOS工艺的仿真；然后,在改进的HV-CMOS工艺基础上,利用器件模拟软件MEDICI实现了不同结构double RESURF LDMOS器件的设计和优化,并对其进行了特性仿真；由于LDMOS的高压互连线会极大的影响整个器件的耐压,根据半桥转换器电平转移电路的实现需要,本文使用自屏蔽结构的高压互连方式,并实现了版图布局的设计；最后分析研究了并联功率MOS器件的稳态电热模型以及导通电阻和阈值电压失配对并联功率MOS电流不平衡的影响。综上所述,本文完成了以下工作：1.与标准CMOS工艺兼容的高压工艺——改进HV-CMOS工艺流程的研究；2.不同结构高压(＞600V) LDMOS器件的设计和优化方法：3.并联功率MOS稳态电热模型和失配对并联功率MOS电流不平衡影响的理论模型。