在当今信息时代,光数据存储正以其长寿命、大容量、低能耗等优点成为一种重要的数据存储技术。而无机光致变色材料因为具有热稳定性好、抗疲劳性强、变色反应速率快、形状稳定等优点,被认为是高密度光学存储器和3D图形存储器件中必不可少的一种材料。但是现阶段的无机光致变色材料在光存储应用中还存在着许多的挑战,如过度金属氧化物（WO₃,MO₃,TiO₂）的可逆性问题,铁电基体材料的变色机理问题,以及某些无机材料的荧光调制问题等等,这些问题的存在阻碍着无机光致变色材料的发展。为了分析和探究无机光致变色材料存在的问题,我们设计如下实验研究内容。首先,双镧系离子(Pr³⁺/Er³⁺)共掺杂的Na_0.5Bi_2.5Nb₂O₉（NBN）陶瓷表现出良好的多色（红绿）、多模式（上转换/下转换）发光特性,光存储特性以及发光开关特性。特别是在不同的烧结气氛（空气、氧气和氮气）下烧结样品可以很好地控制这些性能。结果表明,氮气中烧结样品的发光开关对比度（ΔR_t）和发光强度明显低于空气和O₂中烧结的样品。通过X射线光电子能谱（XPS）证明,发射强度和ΔR_t值的变化与Bi和Na在不同气氛中挥发产生的缺陷和陷阱密切相关。同时,基于光致变色NBN材料的各种图形显示具有响应快、抗疲劳性能好等优点。然后,稀土离子(Pr³⁺/Er³⁺)共掺杂的多功能(K_0.5Na_0.5)NbO₃陶瓷成功地实现了多色（红绿）和双模式（下转换/上转换）发光特性。同时,通过选择不同的激发或发射波段,可以有效地调节温度灵敏度。基于非热耦合能级I_606nm/I_550nm（487nm激发）,最高光学温度灵敏度可以达到0.0094K^-1,远高于大多数光学温度传感材料。此外,通过控制光致变色反应,该陶瓷还显示出优异的发光开关特性。在太阳光照射下,样品的发光开关对比度（ΔR_t）达到60%以上。最后,研究发现了BaMgSiO₄:Eu²⁺（BMS:Eu）材料在不同温度退火处理下出现了发射峰位移,这使得发射峰与吸收峰出现重叠,成功实现了BMS:Eu材料基于光致变色反应的荧光调制行为。通过对发射光谱的拟合可以确定的是BMS:Eu材料的发射峰位移与Eu在BMS基体中的占位改变有关。同时我们也研究了其显色与光存储能力,证明了其在光存储器件中存在显著的应用价值。