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该文将对薄膜型A/F(空燃比)氧传感器用新材料-Ti<,3>O<,5>的性能进行研究.采用溶胶-凝胶法在Al<,2>O<,3>基片上制备薄膜:以钛酸四丁酯为原料,无水乙醇为溶剂,添加适量的其它物质以获得稳定的溶胶,然后通过提拉法在Al<,2>O<,3>基片上制备TiO<,2>薄膜.论文对从TiO<,2>薄膜制备Ti<,3>O<,5>薄膜的条件进行了详细的研究.为了提高薄膜的性能,对薄膜进行了一些掺杂.结果发现,Ce离子的掺入可以提高Ti<,3>O<,5>薄膜的氧敏感性,响应速度和重复性,而且薄膜在空气中的稳定性也有一定提高(可以在700℃空气气氛中稳定存在).但是薄膜对气氛的活化温度仍然比较高,约550℃.对采用Pt在掺Ce的Ti<,3>O<,5>薄膜表面的修饰的研究结果表明,表面修饰后薄膜的活化温度降低到了350℃.在温度高于400℃时,Pt-Ce-Ti<,3>O<,5>薄膜具有良好的灵敏度、响应度和重复性.在400-700℃的温度范围内,薄膜的电阻随气氛变化的范围没有明显的差异.由于α-Ti<,3>O<,5>的特殊能带结构,传统的氧敏模型不能解释它的氧敏特性.因此论文中提出了薄膜表面结构重组模型.通过这个模型可以解释薄膜具有氧敏感性的原因以及掺杂对薄膜性能改进的机理.并通过XPS表面氧种分析对模型的正确性进行了证实.